北京弘图半导体有限公司吴锴元获国家专利权
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龙图腾网获悉北京弘图半导体有限公司申请的专利列存储器电路、芯片、图像传感器及成像设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120416685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510473558.X，技术领域涉及：H04N25/616；该发明授权列存储器电路、芯片、图像传感器及成像设备是由吴锴元;刘毅设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本列存储器电路、芯片、图像传感器及成像设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种列存储器电路、芯片、图像传感器及成像设备。列存储器电路包括M×N个存储体模块、N个读出模块及数据传输模块，列存储器电路的相关双采样模块设置在读出模块中；存储体模块的第一端接收第一数据信号，存储体模块的第二端耦接与其对应的读出模块的第一端，读出模块的第二端耦接数据传输模块；存储体模块将接收到的第一数据信号转换为第二数据信号，读出模块通过相关双采样模块对第二数据信号进行相关双采样处理得到第三数据信号，数据传输模块输出第三数据信号。本发明能够显著减小列存储器电路的面积，并很好地保证电路性能，采用本发明提供的列存储器电路，能够显著降低图像传感器的成本。
本发明授权列存储器电路、芯片、图像传感器及成像设备在权利要求书中公布了：1.一种用于图像传感器的列存储器电路，其特征在于，包括M×N个存储体模块、N个读出模块以及数据传输模块，所述列存储器电路的相关双采样模块设置在所述读出模块中；所述存储体模块的第一端配置为接收第一数据信号，所述存储体模块的第二端耦接与其对应的所述读出模块的第一端，所述读出模块的第二端耦接所述数据传输模块，M≥2； 所述存储体模块配置为将接收到的所述第一数据信号转换为第二数据信号，所述读出模块配置为通过所述相关双采样模块对所述第二数据信号进行相关双采样处理得到第三数据信号，所述数据传输模块配置为输出所述第三数据信号。
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