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龙图腾网获悉广东省华创热控科技有限公司申请的专利一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510535107.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法是由罗契;冷明全;陈均;罗德成;陈龙;李琦;闫文韬设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法，包括对IGBT芯片的背面进行清洁和预处理，在背面上刻蚀出微通道网络，利用化学气相沉积法，在内壁沉积石墨烯薄膜，形成热传导通道；制作微流体分配器，通过对位和键合技术，将微流体分配器与芯片背面连接，形成完整的冷却液循环通道；在所述IGBT芯片的正面，使用导电粘合材料固定在电路基板上，并与电路基板上的电路互连；使用封装材料对IGBT芯片和微流体分配器进行封装，获得IGBT集成模块；对IGBT芯片的结构特点，创新地集成了微流体散热系统和高效热传导通道，显著提升了IGBT芯片的散热效果和工作稳定性，延长了芯片的使用寿命。

本发明授权一种IGBT芯片散热封装模块及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT芯片散热封装模块的封装方法，其特征在于，包括： S1，对IGBT芯片的背面进行清洁和预处理，采用刻蚀技术在IGBT芯片衬底的背面上刻蚀出预先设计的微通道网络；刻蚀过程为：采用深反应离子刻蚀技术在IGBT芯片背面刻蚀出微通道网络，刻蚀参数为SF6和C4F8气体流量分别为130sccm和85sccm，射频功率为800W，刻蚀循环次数为200次，每次循环时间为7秒，总刻蚀深度为50微米； S2，利用化学气相沉积法，在所述微通道网络的内壁沉积石墨烯薄膜，形成热传导通道；具体为在CVD反应室中通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为20sccm、100sccm和500sccm，反应温度为1000℃，沉积时间为15分钟；沉积完成后，停止甲烷气体的通入，维持氢气和氩气的流量不变，逐渐降温至800℃，进行10分钟的退火处理；之后继续进行降温处理，期间停止氢气，保持氩气通入；当温度降至50℃以下时，将CVD反应室恢复至常压；之后将沉积完成的IGBT芯片从CVD反应室中取出；使用拉曼光谱仪对所述微通道网络内壁的石墨烯薄膜进行检测，以确认石墨烯薄膜的层数和晶体质量，并通过光学扫描设备测量薄膜的厚度； S3，制作与所述微通道网络匹配的微流体分配器，通过对位和键合技术，将所述微流体分配器与芯片背面的微通道网络连接，形成完整的冷却液循环通道；具体为： S31，根据所述IGBT芯片的微通道网络的设计参数，利用计算机设计软件绘制微流体分配器的三维模型结构，三维模型结构包括冷却液入口、出口以及内部微流道结构； S32，选择玻璃材料或石英材料作为微流体分配器的基材体，采用激光微加工技术在所述基材体上加工出贯穿的冷却液入口和出口孔，以及内部微流道的半开放式结构； S33，采用微机械加工技术，在所述基材体的表面雕刻出与所述微通道网络对应的微流道图案，获得微流体分配器； S34，在所述微流体分配器的表面进行化学处理，使用氢氟酸溶液对其表面进行光滑化腐蚀，之后使用去离子水彻底清洗，烘干待用； S35，采用等离子体表面活化技术，使用等离子体对微流体分配器和IGBT芯片背面的待键合表面进行活化处理，等离子体功率为200W，处理时间为2分钟； S36，通过对位装置，在视觉设备的辅助下，将微流体分配器的微流道图案与所述IGBT芯片背面的微通道网络入口和出口对准； S37，采用阳极键合技术，将对准后的微流体分配器与IGBT芯片背面的微通道网络进行键合；在真空环境下，施加电压为1000V，温度为400℃，压力为500N，键合时间为30分钟； S38，对键合后的IGBT芯片组件进行密封性测试，采用氦质谱检漏仪进行泄漏检测； S39，在所述微流体分配器的冷却液的入口和出口处安装微型接头和密封垫圈，采用环氧树脂胶或焊接技术将微型接头固定； S4，在所述IGBT芯片的正面，使用导电粘合材料将所述IGBT芯片固定在电路基板上，具体为在电路基板和芯片正面对应位置涂覆含银纳米颗粒的导电粘合材料，厚度为50微米，通过贴装设备对位贴装，采用热压固化设备进行固化，固化温度为180℃，压力为1MPa，固化时间为60分钟，并采用激光熔覆技术，将所述IGBT芯片的电极与电路基板上的电路互连； S5，使用封装材料对所述IGBT芯片和微流体分配器进行封装，获得IGBT集成模块。

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