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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510558003.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备是由李俭;王士京;王兆祥;胥沛雯;张名瑜设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备，以预设采样频率获取Bosch工艺一个周期中沉积产物的光谱信号和刻蚀产物的光谱信号，对若干沉积产物的光谱信号求取均值，以得到若干沉积产物的光谱信号均值构成沉积产物光谱线，对若干刻蚀产物的光谱信号求取均值，以得到若干刻蚀产物的光谱信号均值构成刻蚀产物光谱线，根据求取两条光谱线比值，以得到特征值，求取相对于目标比值的归一化偏差，与预设参数进行对比，根据对比结果调整Bosch工艺下一个周期的控制参数，实现对Bosch工艺中控制参数的动态调整，实现更加精确的刻蚀，减少固定的钝化和刻蚀切换时间、化学气体流量和偏置功率所带来的弊端。

本发明授权深硅刻蚀控制方法、深硅刻蚀控制系统及刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种深硅刻蚀控制方法，其特征在于，应用于Bosch工艺，包括： 以预设采样频率获取Bosch工艺一个周期中沉积产物的光谱信号和刻蚀产物的光谱信号； 将连续的若干所述沉积产物的光谱信号分为一组，且相邻两组所述沉积产物的光谱信号的共用若干所述沉积产物的光谱信号，对一组所述沉积产物的光谱信号求取均值，以得到若干沉积产物的光谱信号均值，若干所述沉积产物的光谱信号均值构成沉积产物光谱线； 将连续的若干所述刻蚀产物的光谱信号分为一组，且相邻两组所述刻蚀产物的光谱信号共用若干所述刻蚀产物的光谱信号，对一组所述刻蚀产物的光谱信号求取均值，以得到若干刻蚀产物的光谱信号均值，若干所述刻蚀产物的光谱信号均值构成刻蚀产物光谱线； 根据所述沉积产物光谱线和所述刻蚀产物光谱线求取比值，以得到特征值； 求取所述特征值相对于目标比值的归一化偏差； 将所述归一化偏差与预设参数进行对比，根据对比结果调整所述Bosch工艺下一个周期的控制参数。

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