中国科学技术大学宋礼获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种Mo基MXene异质结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120136105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510629225.1，技术领域涉及：C01B32/949；该发明授权一种Mo基MXene异质结的制备方法是由宋礼;许翰宸;王昌达;闫紫薇设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Mo基MXene异质结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于纳米材料制备领域，尤其涉及一种Mo基MXene异质结的制备方法，包括以下步骤：在无氧条件下，Mo2Ga2CMAX材料、卤化铵、小分子插层剂和水混合后加热反应，得到Mo基MXene异质结；所述卤化铵在水中的浓度≥6molL；所述小分子插层剂的相对分子质量为40~100，所述小分子插层剂在水中的浓度≥3molL；所述加热反应的温度＞180℃。本发明利用安全性和稳定性更好的卤化铵和小分子插层剂，一步法大批量刻蚀MAX前驱体并制备Mo基MXene异质结，制备工艺简单，制备效率高，制备成本低，易于大批量生产，安全可靠，避免了传统有害试剂HF的使用，无需引入强酸、强碱。
本发明授权一种Mo基MXene异质结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Mo基MXene异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在无氧条件下，Mo2Ga2CMAX材料、卤化铵、小分子插层剂和水混合后加热反应，得到Mo基MXene异质结； 所述Mo2Ga2CMAX材料在水中的浓度为10mgmL； 所述卤化铵为溴化铵，所述卤化铵在水中的浓度为9molL； 所述小分子插层剂为水合肼、乙二胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙腈和四甲基氢氧化铵中的一种或多种，所述小分子插层剂在水中的浓度为4molL； 所述加热反应的温度为200℃，所述加热反应的时间为36h。
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