杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510645699.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种MOSFET器件及制造方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种MOSFET器件及制造方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极、介质层以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、负载P+层、P阱层和N阱层，所述P阱层包括P阱一层和P阱二层，并且P阱一层和P阱二层的截面轮廓均呈“L”字形状；所述P阱一层和P阱二层之间设有导电介质，所述栅极还包括有U型栅，其中U型栅的开口向下，所述U型栅的开口内填充有高K介质。本发明通过通过U型栅结构填充高k介质，增大了栅极对沟道的控制面积，显著降低漏电流，同时保持高栅电容，提升器件的开关速度和能效比。
本发明授权一种MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极（1）、源极（2）、栅极（3）、介质层（4）以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层（5）、N漂移层（6）、负载P+层（7）、P阱层和N阱层（10），其特征在于：所述P阱层包括P阱一层（8）和P阱二层（9），并且P阱一层（8）和P阱二层（9）的截面轮廓均呈“L”字形状；所述P阱一层（8）和P阱二层（9）之间设有导电介质（11）； 所述栅极（3）还包括有U型栅（31），其中U型栅（31）的开口向下； 所述U型栅（31）的开口内填充有高K介质（12）。
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