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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种具有非对称隔离结构的光敏探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510656487.7，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种具有非对称隔离结构的光敏探测器及其制备方法是由马浩文;曹开玮;沈凡翔;王凯;李张南;卜晓峰;闫锋设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有非对称隔离结构的光敏探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有非对称隔离结构的光敏探测器及其制备方法，属于光电探测器领域。通过在浅槽隔离密度高的读取区制备出厚度高的浅槽填充层，在浅槽隔离密度低的感光区制备出厚度低的浅槽填充层，形成非对称隔离结构，该结构下感光区与深槽电极距离近，具有更优的暗电流抑制效果；而读取区与所述深槽电极距离远，能够缓解局部电场过高导致的热载流子注入效应，同时降低读取区晶体管的阈值电压，使光敏探测器获得较长的使用寿命。

本发明授权一种具有非对称隔离结构的光敏探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有非对称隔离结构的光敏探测器，其特征在于，所述光敏探测器包括衬底（100）和像素隔离结构（200），其中所述像素隔离结构（200）为贯穿衬底（100）的深槽隔离结构，所述衬底（100）被深槽隔离结构隔离为多个衬底像素单元； 每个衬底像素单元中，衬底相背的两面分别记为正面（110）和背面（120），其中衬底（100）的正面（110）包括有源区（111）和浅槽隔离（112），有源区（111）被浅槽隔离（112）划分为感光区（110b）和读取区（110a）； 所述深槽隔离结构包括贯穿衬底的深槽、第一隔离介质（210）以及深槽电极（220），其中，第一隔离介质（210）包括线性氧化层（211）和浅槽填充层（212），线性氧化层（211）介于深槽和衬底（100）之间，深槽电极（220）和浅槽填充层（212）沿衬底（100）背面（120）到正面（110）的方向依次填充于深槽内；其中处于读取区（110a）区域内的深槽隔离结构中的浅槽填充层（212）的填充高度高于处于感光区（110b）区域内的深槽隔离结构中的浅槽填充层（212）的填充高度；读取区相比于感光区具有更高的浅槽隔离密度； 所述读取区（110a）区域内的深槽隔离结构中的浅槽填充层（212）的填充高度与浅槽隔离（112）高度相同。

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