东莞市龙谊电子科技有限公司曾敏毓获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉东莞市龙谊电子科技有限公司申请的专利一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球、制作方法及介电损耗预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120208252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510678943.8，技术领域涉及：C01B33/18；该发明授权一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球、制作方法及介电损耗预测方法是由曾敏毓;陈溪泉;秦峰设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球、制作方法及介电损耗预测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及二氧化硅表面改性技术领域，具体涉及一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球、制作方法及介电损耗预测方法，该二氧化硅中空球包括：由二氧化硅构成的中空球形结构、通过共价键接枝于内核层表面的氨基硅烷层、以氨基为成核位点原位生长的ZIF‑8晶体层以及分布于MOF晶体外表面的硫醇基团。本发明的目的在于提供一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球、制作方法及介电损耗预测方法，具有该复合层的二氧化硅中空球在LCP基体中具有良好的相容性和稳定性，且介电损耗较少，有效提升高频FPC的性能。
本发明授权一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球、制作方法及介电损耗预测方法在权利要求书中公布了：1.一种具有MOF复合层的二氧化硅中空球，其特征在于，包括： 内核层：由二氧化硅构成的中空球形结构，平均粒径为200-800nm，壁厚20-50nm，比表面积≥350； 桥连层：通过共价键接枝于内核层表面的氨基硅烷层，氨基密度为2.5-3.2个，层厚为1-3nm； MOF晶体层：以氨基为成核位点原位生长的ZIF-8晶体层，厚度为50-150nm，晶体尺寸为20-50nm，孔径为3.3-3.5Å； 功能化表层：分布于MOF晶体外表面的硫醇基团，硫元素含量为0.5-2wt%，且满足以下结构关系： 其中，为硫醇基团密度，为氨基密度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东莞市龙谊电子科技有限公司，其通讯地址为：523570 广东省东莞市常平镇桥沥南门路8号之一；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号