长鑫新桥存储技术有限公司梁康宁获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫新桥存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510703374.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由梁康宁设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括多个有源区、设置于有源区上的栅极结构以及隔离层，相邻栅极结构之间设置有隔离结构，隔离层覆盖栅极结构和隔离结构，并将栅极结构与隔离结构之间的空间填充；于隔离层上形成多个开口，每一个开口的底部暴露部分有源区，靠近隔离结构设置的开口的侧面暴露出至少部分隔离结构的表面；形成保护层，保护层至少覆盖经开口的侧面暴露出的隔离结构的表面；经过开口的底面对各个有源区进行离子注入工艺形成源区或漏区；于各个开口中形成导电插塞，导电插塞与对应的源区或漏区连接。通过设置保护层，避免破坏隔离结构，提高了半导体结构制作的可靠性。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供基底，所述基底包括多个有源区、设置于所述有源区上的栅极结构以及隔离层，相邻所述栅极结构之间设置有隔离结构，所述隔离层覆盖所述栅极结构和所述隔离结构，并将所述栅极结构与所述隔离结构之间的空间填充； 于所述隔离层上形成多个开口，每一个所述开口的底部暴露部分所述有源区，靠近所述隔离结构设置的所述开口的侧面暴露出至少部分所述隔离结构的表面； 形成保护层，所述保护层至少覆盖经所述开口的侧面暴露出的所述隔离结构的表面； 经过所述开口的底面对各个所述有源区进行离子注入工艺形成源区或漏区； 于各个所述开口中形成导电插塞，所述导电插塞与对应的所述源区或漏区连接； 其中，所述形成保护层，包括： 通过沉积工艺形成所述保护层，所述保护层覆盖所述隔离层的顶面以及所述开口的侧面和底面； 去除位于所述开口底面上的所述保护层，以避免影响所述离子注入工艺。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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