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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510714236.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其制造方法是由陶磊设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括中部区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述中部区域周围，所述第一晶圆的表面形成有金属互连层，且所述金属互连层的位于所述边缘区域内的部分具有空洞；于所述金属互连层上形成介质层，所述介质层至少填满所述空洞；于所述介质层上形成阻挡层，所述阻挡层延伸覆盖所述金属互连层的表面和侧壁；进行平坦化处理，以暴露所述金属互连层的表面；对所述第一晶圆进行混合键合工艺。本申请减少或避免了金属互连层发生金属扩散的风险，同时减少或避免了第一晶圆发生崩边或晶边破裂的风险，从而有助于提升晶圆的良率。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆，所述第一晶圆包括中部区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述中部区域周围，所述第一晶圆的表面形成有金属互连层，且所述金属互连层位于所述边缘区域内的部分具有空洞； 于所述金属互连层上形成介质层，所述介质层至少填满所述空洞； 于所述介质层上形成阻挡层，所述阻挡层延伸覆盖所述金属互连层的表面和侧壁； 进行平坦化处理，以暴露所述金属互连层的表面； 对所述第一晶圆进行混合键合工艺； 其中，所述金属互连层包括形成于所述第一晶圆上的层间介质结构以及形成于所述层间介质结构中的沟槽和通孔，所述沟槽和所述通孔内电镀有金属材料； 所述层间介质结构的形成过程包括： 于所述第一晶圆上形成第一介质层； 对所述第一介质层进行平坦化处理，去除至多部分所述第一介质层，且所述第一介质层所减薄的厚度与所述第一介质层的总厚度呈对数关系，所述第一介质层的总厚度D与所述第一介质层所减薄的厚度d之间的关系为D=log10d； 于所述第一介质层上形成介质阻挡层； 于所述介质阻挡层上形成第二介质层，以形成包括所述第一介质层、所述介质阻挡层和所述第二介质层的所述层间介质结构。

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