广东长兴半导体科技有限公司张治强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利一种基板芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510767252.5，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种基板芯片封装结构及其制备方法是由张治强;郭东林;卢冠华设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基板芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：为克服现有芯片封装结构中存在散热不良，以及芯片间热传导导致的功能影响的问题，本发明提供了一种基板芯片封装结构，包括基板、控制芯片、存储芯片、导热层、气凝胶层、中介片和封装胶层，所述基板的一侧表面开设有凹槽，所述控制芯片嵌入所述凹槽中，所述导热层覆盖于所述控制芯片和所述基板的表面，所述气凝胶层位于所述导热层上背离所述控制芯片的一侧，所述中介片位于所述气凝胶层上背离所述导热层的一侧，所述存储芯片位于所述中介片背离所述气凝胶层的一侧，所述封装胶层设置于所述基板上，所述导热层部分位于所述封装胶层内部，所述导热层部分延伸并露出于所述封装胶层。同时，本发明还公开了上述基板芯片封装结构的制备方法。
本发明授权一种基板芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基板芯片封装结构，其特征在于，包括基板、控制芯片、存储芯片、导热层、气凝胶层、中介片和封装胶层，所述基板的一侧表面开设有凹槽，所述控制芯片嵌入所述凹槽中，所述导热层覆盖于所述控制芯片和所述基板的表面，所述导热层的内部形成有空腔，所述空腔的内壁形成有毛细结构，所述空腔中填充相变工质，所述气凝胶层位于所述导热层上背离所述控制芯片的一侧，所述中介片位于所述气凝胶层上背离所述导热层的一侧，所述存储芯片位于所述中介片背离所述气凝胶层的一侧，所述封装胶层设置于所述基板上，所述控制芯片、所述存储芯片、所述气凝胶层和所述中介片均位于所述封装胶层内部，所述导热层部分位于所述封装胶层内部，所述导热层部分延伸并露出于所述封装胶层。
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