宁波大学宋钟旺获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种过渡金属硫化物掺杂的单元素相变存储材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120344142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510789084.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种过渡金属硫化物掺杂的单元素相变存储材料及其制备方法是由宋钟旺;陈梦丽;王国祥;谷玮峰;倪胤萱;陈颖琦设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种过渡金属硫化物掺杂的单元素相变存储材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种过渡金属硫化物掺杂的单元素相变存储材料及其制备方法，特点是该材料为MoS2掺杂Sb薄膜材料，薄膜材料的化学结构式为SbxMoS2100‑x，其中65at.%≤x≤85at.%，由Sb单质靶和硫系化合物MoS2靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶溅射获得，优点是该相变存储材料与GST相变材料相比，结晶温度较高、熔化温度较低，结晶活化能和十年数据保持温度更高、电阻漂移大幅度降低，且成功通过硫系化合物掺杂改善了单元素相变Sb的性能，支持相变存储器件长周期、高循环次数下的存储稳定和可靠性。
本发明授权一种过渡金属硫化物掺杂的单元素相变存储材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属硫化物掺杂的单元素相变存储材料，其特征在于：该材料为MoS2掺杂Sb薄膜材料，所述的薄膜材料的化学结构式为SbxMoS2100-x，其中65at.%≤x≤85at.%，所述的MoS2掺杂Sb薄膜材料由Sb单质靶和硫系化合物MoS2靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶溅射获得。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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