合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510839951.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备是由陈维邦设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，包括衬底、格栅，以及位于衬底的第一表面上且沿平行于第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、目标隔离结构；衬底内包括经由第一表面向衬底内延伸，且沿第一方向间隔排布的多个沟槽隔离结构；沟槽隔离结构与其正上方的目标隔离结构一对一设置；光电二极管包括沿背离衬底的方向排列的SiAs叠层、SiAs盖层，以及沿第一方向和朝向衬底的方向贯穿SiAs叠层的SiP层；目标隔离结构包括高于光电二极管的顶面的凸出部；格栅与凸出部在相同工艺步骤中同期制备而成。能够避免BSI图像传感器的信号串扰，以及因IMP造成的不必要损伤的同时，提高光电转化效率。
本发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括衬底、格栅，以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、目标隔离结构； 所述衬底内包括经由所述第一表面向所述衬底内延伸，且沿所述第一方向间隔排布的多个沟槽隔离结构；所述沟槽隔离结构与其正上方的所述目标隔离结构一对一设置； 所述光电二极管包括沿背离所述衬底的方向排列的SiAs叠层、SiAs盖层，以及沿所述第一方向和朝向所述衬底的方向贯穿所述SiAs叠层的SiP层； 所述目标隔离结构包括顶面高于所述光电二极管顶面的凸出部；所述凸出部与所述格栅在相同工艺步骤中同期制备而成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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