深圳天狼芯半导体有限公司乔凯获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种终端结构的制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510874380.X，技术领域涉及：H10D62/00；该发明授权一种终端结构的制备方法、芯片是由乔凯设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种终端结构的制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种终端结构的制备方法、芯片，在N型碳化硅衬底的正面形成N型漂移区，在N型漂移区上形成主结，在主结的末端预设区域进行刻蚀形成尾部沟槽，使得尾部沟槽的第一侧倾角小于16°，尾部沟槽的第二侧壁延伸至芯片边缘，其中，尾部沟槽的第一侧与主结之间为场限环区域，从而仅需增加结终端扩展区和尾部沟槽的掩膜工艺下，结合场限环、结终端扩展区和沟槽结构，在保证器件耐压性能的情况下，有效缩小终端长度，减少芯片的面积占用。
本发明授权一种终端结构的制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种终端结构的制备方法，其特征在于，所述终端结构的制备方法包括： 提供N型碳化硅衬底，并在所述N型碳化硅衬底的正面形成N型漂移区； 在所述N型漂移区上形成主结； 在场限环区域注入P型杂质形成场限环结构；其中，所述场限环结构包括多个间隔的场限环； 在所述场限环区域叠加注入P型杂质形成结终端扩展区； 在所述主结的末端预设区域进行刻蚀形成尾部沟槽；其中，所述结终端扩展区覆盖所述场限环区域，并且延伸至所述尾部沟槽，通过多张掩膜和多次离子注入工艺使得所述结终端扩展区的掺杂浓度从主结向外逐渐降低，所述尾部沟槽的第一侧壁倾角小于16°，所述尾部沟槽的第一侧与所述主结之间为所述场限环区域；其中，所述第一侧壁倾角为所述尾部沟槽的第一侧壁与所述N型漂移区的水平面之间的夹角，通过所述尾部沟槽截断所述结终端扩展区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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