季华实验室杨一新获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种有半刻蚀孔的掩膜板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510896402.2，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权一种有半刻蚀孔的掩膜板是由杨一新;卞曙光设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种有半刻蚀孔的掩膜板在说明书摘要公布了：本发明涉及OLED器件制造设备领域，特别涉及一种有半刻蚀孔的掩膜板。所述有半刻蚀孔的掩膜板包括水平排列的多片掩膜片和至少一个遮蔽件；所述掩膜片包括开口区和非开口区；所述开口区内竖向设置有多个通孔，每个通孔与基板上的像素坑对应；所述遮蔽件的顶面设置有多个半蚀坑；所述半蚀坑用于吸附尘埃；每个半蚀坑与基板上的一个或多个像素坑对应。本发明的掩膜板可以有效吸附真空蒸镀过程中像素坑中及附近的尘埃，从而有效确保像素的质量。
本发明授权一种有半刻蚀孔的掩膜板在权利要求书中公布了：1.一种有半刻蚀孔的掩膜板，其特征在于，包括水平排列的多片掩膜片和至少一个遮蔽件；所述掩膜片包括开口区和非开口区；所述开口区内竖向设置有多个通孔，每个通孔与基板上的像素坑对应；所述遮蔽件的顶面设置有多个半蚀坑；所述半蚀坑用于吸附尘埃；每个半蚀坑与基板上的一个或多个像素坑对应；所述半蚀坑内设置有吸附结构和或所述半蚀坑的底部填充有尘埃吸附剂；所述吸附结构上设置有多个凹坑或狭缝；所述凹坑或狭缝用于吸附和固定尘埃颗粒。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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