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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510920016.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件，由若干个相互并列的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞从下向上依次包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极，所述半导体外延层包括有N衬底层、N扩散层、主P+层、主N阱层和主P阱层，单个所述MOS元胞的内部且位于主N阱层内蚀刻有L型双沟槽，该L型双沟槽内部填充有填充介质，所述填充介质与源极欧姆接触。本发明通过在主N阱层内设计L型双沟槽并填充介质，结合主N阱层的L形截面轮廓，优化了载流子传输路径和电场分布。该结构显著增强栅极对沟道的控制能力，减少传统平面栅结构的电流路径曲折性，从而降低导通电阻并提升开关速度。

本发明授权一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件，由若干个相互并列的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞从下向上依次包括有漏极（1）、半导体外延层、栅极（2）以及源极（3），所述半导体外延层包括有N衬底层（4）、N扩散层（5）、主P+层（7）、主N阱层（8）和主P阱层（9），其特征在于：单个所述MOS元胞的内部且位于主N阱层（8）内蚀刻有L型双沟槽，该L型双沟槽内部填充有填充介质（6）； 所述主N阱层（8）的截面轮廓呈“L”字形状，并且该主N阱层（8）的一端与源极（3）欧姆接触，所述主N阱层（8）的另一端延伸至栅极（2）的下方； 所述填充介质（6）包括有填充P+层（62）、填充P阱层（63）和填充N阱层（64）； 所述填充N阱层（64）位于填充P+层（62）和栅极（2）之间，并且填充P+层（62）、填充N阱层（64）均与源极（3）欧姆接触； 所述填充P阱层（63）位于填充N阱层（64）的下方，并且该填充P阱层（63）的另一端延伸至栅极（2）的下方。

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