合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120435051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510949437.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件是由陈兴设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。所述半导体器件的阈值电压调节方法包括以下步骤：提供MOS衬底，MOS衬底包括第一MOS区域以及第二MOS区域；对第一MOS区域以及第二MOS区域进行口袋掺杂离子注入并分别形成口袋掺杂区；对MOS衬底进行热扩散，使第二MOS区域的口袋掺杂离子的扩散程度小于第一MOS区域的口袋掺杂离子的扩散程度，实现第二MOS区域的阈值电压高于第一MOS区域的阈值电压。本发明中的调节方法不需要通过同型掺杂与异型掺杂结合的方式改变阈值电压，就能够实现调整不同MOS区域的阈值电压。本发明中的制作方法能够减少光罩的使用数量。
本发明授权半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供CMOS衬底，所述CMOS衬底包括低阈值电压NMOS区域、高阈值电压NMOS区域、低阈值电压PMOS区域以及高阈值电压PMOS区域； 暴露所述低阈值电压NMOS区域以及所述高阈值电压NMOS区域，对所述低阈值电压NMOS区域以及所述高阈值电压NMOS区域进行P型口袋掺杂离子注入形成NMOS口袋掺杂区； 暴露所述低阈值电压PMOS区域以及所述高阈值电压PMOS区域，对所述低阈值电压PMOS区域以及所述高阈值电压PMOS区域进行N型口袋掺杂离子注入形成PMOS口袋掺杂区； 暴露所述高阈值电压NMOS区域以及所述高阈值电压PMOS区域，向所述高阈值电压NMOS区域的NMOS口袋掺杂区以及所述高阈值电压PMOS区域的PMOS口袋掺杂区注入中性离子； 对CMOS衬底进行热扩散。
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