山东省科学院激光研究所李仕龙获国家专利权
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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510953503.9，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片是由李仕龙;王兆伟;唐先胜;韩丽丽;宫卫华;王舒蒙设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，并提供一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片。制备方法包括提供一层衬底；在衬底上依次制备底栅电极和栅介电层；在栅介电层上制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极，以及栅介电层的表面制备氨基化分子层；去除目标区域以外的氨基化分子层；在目标区域制备碳纳米管薄膜；进行退火处理。该制备方法对目标区域以外的氨基化分子层进行曝光处理，以破坏非目标区域的氨基化分子层，只保留目标区域的氨基化分子层，为沟道区域碳纳米管成膜提供吸附位点，该制备过程碳纳米管薄膜未与光刻胶接触，避免传统碳纳米管图案化刻蚀过程中光刻胶保护带来的残留和污染，且有效保证碳纳米管薄膜场效应晶体管的使用性能。
本发明授权一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一层衬底； 在所述衬底上依次制备底栅电极和栅介电层； 在所述栅介电层上制备源电极和漏电极；其中，所述源电极和所述漏电极间隔设置； 在所述源电极和所述漏电极，以及所述栅介电层的表面制备氨基化分子层； 去除目标区域以外的所述氨基化分子层；其中，所述目标区域包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和所述第二区域分别为所述源电极和所述漏电极中相对设置的区域，所述第三区域为连接在所述第一区域和所述第二区域之间的区域；去除目标区域以外的所述氨基化分子层，包括：采用激光直写工艺对所述目标区域以外的所述氨基化分子层进行曝光处理； 在所述目标区域制备碳纳米管薄膜； 进行退火处理。
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