中国科学院上海微系统与信息技术研究所杜安天获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种利用分子束外延生长砷化铟量子点单光子源的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120443345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510956173.9，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种利用分子束外延生长砷化铟量子点单光子源的方法是由杜安天;龚谦;曹春芳;黄华设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用分子束外延生长砷化铟量子点单光子源的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种利用分子束外延生长砷化铟量子点单光子源的方法，包括如下步骤：（1）在衬底上通过静止生长的方式利用分子束外延生长砷化铟量子点，调整铟束流大小为适合砷化铟量子点生长的速率；（2）根据反射式高能电子衍射仪观察砷化铟量子点形成的生长时间，调整砷化铟量子点的生长时间，使静止生长时样品的单光子源区域处于整个样品的中心位置；（3）固定砷化铟量子点的生长时间，生长方式改为旋转生长与静止生长相结合的方式，通过调整生长过程中旋转生长与静止生长的时间分配实现对单光子源区域分布的调控。本发明实现对砷化铟量子点单光子源区域的分布调控，大大提高样品上量子点单光子源的有效区域面积，提高晶圆良率和利用率。
本发明授权一种利用分子束外延生长砷化铟量子点单光子源的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用分子束外延生长砷化铟量子点单光子源的方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）在衬底上通过静止生长的方式利用分子束外延生长砷化铟量子点，调整铟束流大小为适合砷化铟量子点生长的速率； （2）根据反射式高能电子衍射仪观察砷化铟量子点形成的生长时间，调整砷化铟量子点的生长时间，使静止生长时样品的单光子源区域处于整个样品的中心位置； （3）固定砷化铟量子点的生长时间，生长方式改为旋转生长与静止生长相结合的方式，通过调整生长过程中旋转生长与静止生长的时间分配实现对单光子源区域分布的调控。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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