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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于超细单晶光纤的全光纤结构脉冲激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510968167.5，技术领域涉及：H01S3/067；该发明授权基于超细单晶光纤的全光纤结构脉冲激光器及其制备方法是由王泽锋;马晓斐;赵蓉;高晨心;朱祥飞;黄震设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于超细单晶光纤的全光纤结构脉冲激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于超细单晶光纤的全光纤结构脉冲激光器及其制备方法，包括增益单晶光纤、脉冲调制单晶光纤，增益单晶光纤、脉冲调制单晶光纤之间通过热压键合形成超细单晶光纤异质键合结构；增益单晶光纤作为激光增益介质，脉冲调制单晶光纤作为可饱和吸收体，增益单晶光纤上设有高反射光栅以及脉冲调制单晶光纤尾端设有的斜角低反端构成谐振腔，泵浦光输入增益单晶光纤经高反射光栅进入谐振腔，由斜角低反端输出脉冲激光。本发明通过超细单晶光纤键合技术将增益段与调制段融合为一体化结构，并利用飞秒激光直写技术刻写高反射光栅，在输出端进行低反射镜斜角处理，消除空间耦合损耗，实现全光纤单片集成。

本发明授权基于超细单晶光纤的全光纤结构脉冲激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于超细单晶光纤的全光纤结构脉冲激光器的制备方法，其特征在于，包括： （1）准备增益单晶光纤、脉冲调制单晶光纤，其中增益单晶光纤为Nd3+掺杂单晶光纤，脉冲调制单晶光纤为Cr4+掺杂单晶光纤，增益单晶光纤、脉冲调制单晶光纤的晶体基质均为YAG晶体； （2）制备超细单晶光纤异质键合结构； （2.1）将增益单晶光纤、脉冲调制单晶光纤的端面抛光，并进行化学清洗，将两段光纤置于氢氟酸中超声清洗，去除表面污染物，并用去离子水和超纯水冲洗去除残留，最后置于真空干燥箱中去除水分残留； （2.2）在真空腔中进行热压键合：真空腔压力≤10-3Pa，采用功率为30W、光斑直径为100μm的CO2激光对增益段单晶光纤和调制段单晶光纤接触面进行热压键合，键合温度控制在晶体基质熔点的85%，加压时间10秒，压力20MPa；在增益单晶光纤和调制单晶光纤的键合界面处通过CO2激光加热拉伸形成直径渐变区，实现模场直径的绝热过渡；完成热压键合后以5℃min速率降温至800℃，并在800℃下退火2小时以消除界面应力； （3）采用紫外固化胶包裹整根光纤，并在外层涂覆SiC热沉层，确保热膨胀系数匹配； （4）利用飞秒激光直写法在增益单晶光纤上靠近激光输入端的位置刻写高反射光栅；在脉冲调制单晶光纤尾端进行切斜角处理，形成8°斜角端面，并在8°斜角端面上涂覆抗反射涂层，形成斜角低反端，利用8°斜角端面与空气界面的菲涅尔反射，并结合抗反射涂层使得斜角低反端的反射率0.1%。

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