买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种联合钝化背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510961803.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种联合钝化背接触电池及其制备方法是由林朝晖;皮文慧;林楷睿;张超华;林锦山;郑少斌设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种联合钝化背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种联合钝化背接触电池及其制备方法，包括如下步骤：S4、在第一半导体层上沉积掩膜层，掩膜层包含依次形成的掺杂非晶层、氮化硅膜层，其中掺杂非晶层的掺杂元素为N或C；S5、形成间隔排布的第二半导体开口区；S6、制绒清洗，同时在硅片正面及第二半导体开口区上形成绒面，并去除部分厚度的掩膜层；S7、在硅片正面依次沉积钝化层、减反层；S8、二次清洗，以去除S7过程中在背面自然形成的绕镀层，之后回洗；S9、在S8所得背面沉积第二半导体层。本发明能够将背面的绕镀膜层完全被去除干净，从而提高了电池的开路电压和短路电流，进而提升电池效率。

本发明授权一种联合钝化背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种联合钝化背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供双面抛光的硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半导体层，第一半导体层包含依次形成的第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅膜层； S3、清洗去除S2中自然形成在第一半导体层表面的磷硅玻璃层； S4、在第一半导体层上沉积掩膜层，掩膜层包含依次形成的掺杂非晶层、氮化硅膜层，其中掺杂非晶层的掺杂元素为N或C； S5、在S4所得背面的第一半导体层及其对应掩膜层上进行第一次刻蚀开口，形成间隔排布的第二半导体开口区； S6、制绒清洗，同时在硅片正面及第二半导体开口区上形成绒面，并去除部分厚度的掩膜层，掩膜层的去除厚度为S4掩膜层的总厚度的20%-60%； S7、在硅片正面依次沉积钝化层、减反层； S8、二次清洗，以去除S7过程中在背面自然形成的绕镀层，之后回洗；二次清洗的过程包括：先采用含氢氟酸水溶液去除减反层绕镀层，会同时去除剩余掩膜层中的氮化硅膜层，再采用质量浓度为0.1%-1%的低浓度碱溶液去除钝化层绕镀层，并控制硅片背面减薄量在0.1-1µm，之后进行回洗； S9、在S8所得背面沉积第二半导体层，第二半导体层包括依次形成的本征非晶硅层与第二掺杂硅层；本征非晶硅层的厚度减薄至5-10nm，第二掺杂硅层的厚度减薄至5-15nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建金石能源有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。