中国科学院上海技术物理研究所罗海瀚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种远红外波段光学薄膜及其制备方法和光学元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120507828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510994198.8，技术领域涉及：G02B5/20；该发明授权一种远红外波段光学薄膜及其制备方法和光学元件是由罗海瀚;徐腾;段微波;王鹏;蔡清元;刘定权设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种远红外波段光学薄膜及其制备方法和光学元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种远红外波段光学薄膜及其制备方法和光学元件，涉及远红外波段光学薄膜技术，所述远红外波段光学薄膜包括基底、正面带通膜系和反面截止膜系；其中，所述正面带通膜系位于所述基底的一面，所述反面截止膜系位于所述基底的另一面；所述远红外波段光学薄膜以碲化铅为高折射率薄膜材料，碲化镉为低折射率薄膜材料交替沉积制备而成。本发明的远红外波段光学薄膜可以实现对波长小于4μm波段的截止，平均透过率为0.23%；在5‑50μm波段增透；且具有优异的抗潮性能。
本发明授权一种远红外波段光学薄膜及其制备方法和光学元件在权利要求书中公布了：1.一种远红外波段光学薄膜，其特征在于，所述远红外波段光学薄膜包括基底、正面带通膜系和反面截止膜系；其中所述正面带通膜系位于所述基底的一面，所述反面截止膜系位于所述基底的另一面； 所述远红外波段光学薄膜以碲化铅为高折射率薄膜材料，碲化镉为低折射率薄膜材料交替沉积制备而成； 所述正面带通膜系的膜系结构为： 基底0.542H1L1H61.147L0.735H1.474L0.344H3.432L空气； 其中，H表示一个λ04光学厚度的碲化铅膜层，L表示一个λ04光学厚度的碲化镉膜层，λ0为中心波长，为3.1微米，H、L前的数字为λ04光学厚度比例系数乘数。
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