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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种局部高导电多晶结构的背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511007242.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种局部高导电多晶结构的背接触电池及其制备方法是由林朝晖;林楷睿;林锦山;张超华;廖培灿;尤传加;曾炳龙;皮文慧;郑少斌设计研发完成，并于2025-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种局部高导电多晶结构的背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种局部高导电多晶结构的背接触电池及其制备方法，包括：S2、在硅片背面依次形成第一隧穿氧化层、N型掺杂非晶硅层，之后沉积抗等离子掩膜层；S3、在所述抗等离子掩膜层的对应金属电极的部分区域上开口，形成开口区域W0；之后进行退火；S4、进行磷烷等离子处理，形成高导电多晶区；在背面沉积耐碱掩膜层；S5、形成第二半导体开口区；S6、制绒清洗；S9、在背面沉积第二半导体层。本发明能够形成局部高导电多晶结构，有利于载流子传输，同时非电极接触区膜层可以减薄以及可以适宜低掺杂和低结晶度，有利于降低膜层的寄生吸收，兼顾高FF和高电流密度，从而有利于提高电池整体的转换效率。

本发明授权一种局部高导电多晶结构的背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种局部高导电多晶结构的背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供双面抛光的硅片； S2、在硅片背面依次形成第一隧穿氧化层、N型掺杂非晶硅层，之后沉积抗等离子掩膜层； S3、在所述抗等离子掩膜层的对应金属电极的部分区域上开口，形成开口区域W0； 之后进行退火，使得N型掺杂非晶硅层形成N型掺杂多晶硅层，且被抗等离子掩膜层覆盖的部分厚度N型掺杂多晶硅层形成掺磷掺氧多晶层； S4、对开口区域W0进行磷烷等离子处理，使得开口区域W0内的部分厚度N型掺杂多晶硅层形成高导电多晶区，高导电多晶区的掺磷浓度为N型掺杂多晶硅层掺磷浓度的1.4-10倍，高导电多晶区的结晶度为N型掺杂多晶硅层结晶度的1.1-1.3倍； 然后在背面沉积耐碱掩膜层； S5、在背面进行第二次刻蚀开口，以裸露硅片，形成间隔排布的第二半导体开口区；第二半导体开口区与开口区域W0交替排布； S6、制绒清洗，在硅片正面及第二半导体开口区上形成绒面，并去除耐碱掩膜层、抗等离子掩膜层以及掺磷掺氧多晶层； S9、在背面沉积第二半导体层。

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