深圳市东一思创电子有限公司程富胜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市东一思创电子有限公司申请的专利高速数据连接器双层PIN针结构优化设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120562317B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511068945.1，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权高速数据连接器双层PIN针结构优化设计方法是由程富胜;程福强设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本高速数据连接器双层PIN针结构优化设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高速连接器技术领域，公开了高速数据连接器双层PIN针结构优化设计方法。该方法利用三维扫描设备获取PIN针初始结构参数，通过逆向工程算法重建三维模型并提取关键几何特征。其次，采用时域反射法进行信号传输路径模拟，采集信号完整性数据并识别潜在信号失真区域，同时结合近场扫描技术和矩量法计算相邻PIN针间的电磁耦合度。然后，基于上述特征参数构建多目标优化模型，运用多目标遗传算法求解得到满足信号完整性和电磁兼容性要求的结构参数调整方案。进一步通过机械强度仿真评估插拔应力分布，确保结构可靠性。最终综合优化结果和仿真数据确定最优结构参数。
本发明授权高速数据连接器双层PIN针结构优化设计方法在权利要求书中公布了：1.高速数据连接器双层PIN针结构优化设计方法，其特征在于，包括如下步骤： 通过三维扫描设备获取双层PIN针的初始结构参数，采用逆向工程算法重建三维模型以提取关键几何特征； 对双层PIN针进行信号传输路径模拟，基于时域反射法采集信号完整性数据并识别潜在信号失真区域； 通过近场扫描技术获取双层PIN针的电磁场分布信息，结合矩量法计算相邻PIN针间的电磁耦合度； 基于关键几何特征、潜在信号失真区域和电磁耦合度，构建多目标优化模型； 通过多目标遗传算法对多目标优化模型进行求解，生成满足信号完整性和电磁兼容性要求的结构参数调整方案； 对结构参数调整方案进行机械强度仿真，评估插拔过程中的应力分布是否处于安全范围； 根据机械强度仿真结果和多目标优化模型的求解结果，确定最终的双层PIN针结构优化参数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市东一思创电子有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区南山高新北区科苑大道与宝深路交汇处酷派大厦C座12层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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