华辰芯光(无锡)半导体有限公司向磊获国家专利权
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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种单模高功率边发射激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120601248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511099670.8，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权一种单模高功率边发射激光器及制备方法是由向磊;魏明设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单模高功率边发射激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉激光器的技术领域，尤其是涉及一种单模高功率边发射激光器及制备方法，包括P面结构层、有源区和N面结构层，所述P面结构层上设有单模过滤区，所述单模过滤区在水平横向方向的两侧设有单模增强区，所述单模增强区在水平竖向的两侧设有高阶模式耦合区，所述单模增强区远离单模过滤区的一侧设有单模放大区，所述P面结构层上开设有贯穿单模过滤区、单模增强区和单模放大区的开口。单模放大区可以增大增益进行单模功率的放大，相当于单模功率放大结构，因为有单模过滤区和单模增强区的横向尺寸限制以及模式过滤功能，所以不用担心高阶模式激射。
本发明授权一种单模高功率边发射激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单模高功率边发射激光器，其特征在于：包括P面结构层1、有源区2和N面结构层3，P面结构层1上表面包括有水平横向的长度方向以及水平竖向的宽度方向，所述P面结构层1上设有用于过滤激光形成单模激光的单模过滤区4，所述单模过滤区4在水平横向方向的两侧设有用于抑制激光高阶模式的单模增强区5，所述单模增强区5的宽度大于单模过滤区4的宽度，所述单模增强区5在水平竖向的两侧设有用于干扰激光高阶模式的传播常数和耦合强度的高阶模式耦合区6，所述高阶模式耦合区6为无源结构，所述单模增强区5远离单模过滤区4的一侧设有用于对激光单模功率进行放大的单模放大区7，所述单模放大区7的宽度大于单模增强区5的宽度。
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