应用材料公司任河获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210402704.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法是由任河;梅裕尔·B·奈克;曹勇;程亚娜;叶伟锋设计研发完成，并于2016-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。
本发明授权减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法在权利要求书中公布了：1.一种在基板上形成互连的方法，所述方法包括以下步骤： 将连续的阻挡层沉积在所述基板上； 将蚀刻停止层沉积在所述阻挡层上；和 处理所述阻挡层和所述蚀刻停止层之间的界面，使得所述阻挡层和所述蚀刻停止层共有共同元素，处理所述界面的步骤包括： 在包含氢气H2的第一处理气体中退火所述界面； 在包含氢气H2和氮气N2的第二处理气体中退火所述界面；和 将所述界面暴露至基于氢的等离子体处理。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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