英特尔公司G.A.格拉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111033753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094407.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI是由G.A.格拉斯;A.S.墨菲;K.贾姆布纳桑;C.C.邦伯格;T.贾尼;J.T.卡瓦利罗斯;B.楚-孔;成承训;S.舒克西设计研发完成，并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI在说明书摘要公布了：公开了集成电路晶体管结构，其在制造期间降低诸如磷或砷之类的n型掺杂剂从锗n‑MOS器件的源极区域和漏极区域到相邻的浅沟槽隔离（STI）区域中的扩散。该n‑MOS晶体管器件可以包括按原子百分比至少75％的锗。在示例实施例中，该STI在STI的与源极和或漏极区域相邻的区域中掺杂有n型杂质，以提供掺杂剂扩散降低。在一些实施例中，该STI区域掺杂有包括浓度按原子百分比在1%至10%之间的磷的n型杂质。在一些实施例中，经掺杂的STI区域的厚度可以范围在10至100纳米之间。
本发明授权针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC，其包括： 半导体材料的半导体主体，所述半导体材料包括按原子百分比至少75％的锗，所述半导体主体具有最上表面和最下表面，其中所述半导体主体直接位于鳍根上，所述鳍根直接位于半导体衬底上，所述鳍根包括与所述半导体材料的半导体主体不同的半导体材料，并且所述鳍根的半导体材料与所述半导体衬底的半导体材料相同； 在所述半导体主体上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质和栅电极； 源极区域和漏极区域，其均与所述栅极结构相邻，使得所述栅极结构处于所述源极和漏极区域之间，所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个包括n型杂质；以及 浅沟槽隔离STI区域，其邻近所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一个，所述STI区域从STI区域的最上表面到STI区域的最下表面包括所述n型杂质，其中STI区域的最上表面位于半导体主体的最上表面下方，其中STI区域的最下表面位于半导体主体的最下表面下方，其中STI区域的最上表面位于半导体主体的最下表面上方，并且其中STI区域位于鳍根的相对侧壁上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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