胜高股份有限公司山下健儿获国家专利权
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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116330084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310474932.9，技术领域涉及：B24B9/06；该发明授权晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片是由山下健儿设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片在说明书摘要公布了：提供能够抑制晶片的主面与倒角面的边界的棱角的晶片的镜面倒角方法。本发明是将晶片W的倒角面借助研磨垫4、6镜面研磨的晶片的镜面倒角方法，其特征在于，使研磨垫4、6的主面与晶片W的主面所成的角度α1、α2为倒角时的倒角角度的目标值以下。
本发明授权晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片在权利要求书中公布了：1.一种晶片，其特征在于， 将扫描方向设为x轴，将从晶片的主面的外周端向中心侧400～600μm的位置设为扫描的起点，将从晶片的外周端向中心侧100～300μm的位置设为扫描的终点，将晶片的表面形状沿径向扫描得到轮廓曲线fx， 将轮廓曲线fx用x来二次微分，由此得到二次微分曲线f”x，确定二次微分曲线f”x的峰的深度最大的峰，将最大峰的深度设为d，将y＝-d×60％和y＝f”x的交点的x坐标设为x1、x2， 将x1≤x≤x2的区域的轮廓曲线fx用圆拟合，将拟合的圆的半径的大小用作棱角的指标， 扫描晶片的正面侧的主面的情况下，将拟合的圆的半径称作正面与倒角边界部的棱角量，在扫描晶片的背面侧的主面的情况下，将拟合的圆的半径称作背面与倒角边界部的棱角量， 正面与倒角边界部的棱角量及或背面与倒角边界部的棱角量为200μm以上， ESFQRmax为45nm以下， 前述晶片的上倒角宽度A1及下倒角宽度A2均为200μm～450μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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