三星电子株式会社洪志硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910935922.4，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装是由洪志硕;金志勳设计研发完成，并于2019-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体封装包括：下部半导体芯片，包括第一半导体衬底、在第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到多个外部连接垫的多个贯穿电极，第一半导体衬底包括在其有源表面上的第一半导体装置以及在与有源表面相对的第一半导体衬底的非有源表面上的由凹陷区界定的突出部；以及至少一个上部半导体芯片，堆叠在下部半导体芯片的突出部上且电连接到多个贯穿电极，至少一个上部半导体芯片包括第二半导体衬底，第二半导体衬底包括在第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置。本公开的半导体封装具有改善的连接可靠性。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 下部半导体芯片，包括第一半导体衬底、在所述第一半导体衬底的底表面上的多个外部连接垫以及电连接到所述多个外部连接垫的多个贯穿电极，所述第一半导体衬底包括在所述第一半导体衬底的有源表面上的第一半导体装置以及在与所述有源表面相对的所述第一半导体衬底的非有源表面上的由凹陷区界定的突出部；以及 至少一个上部半导体芯片，堆叠在所述下部半导体芯片的所述突出部上且电连接到所述多个贯穿电极，所述至少一个上部半导体芯片包括第二半导体衬底，所述第二半导体衬底包括在所述第二半导体衬底的有源表面上的第二半导体装置，且 其中所述至少一个上部半导体芯片具有比所述下部半导体芯片的水平面积小的水平面积，以在垂直方向上叠加在所述突出部的至少一部分上， 其中所述突出部的水平面积等于或大于所述至少一个上部半导体芯片的所述水平面积。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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