山东大学田耘获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112725746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911033332.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用是由田耘;张建楠;胡鹏程设计研发完成，并于2019-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及氧化亚铜薄膜制备技术领域，尤其涉及一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用。所述方法为将清洗干净的石英玻璃片放入磁控溅射仪的镀膜机腔室中，抽真空后对石英玻璃片加热至设定温度；在腔室中通入流量保护气氛，采用直流电源和高纯银靶在石英玻璃片溅射银薄膜缓冲层，完成后在石英玻璃片上得到缓冲层银膜；紧接着采用高纯铜靶在银膜上溅射氧化亚铜薄膜：通入氧气开始溅射；完成后排放掉气体，打开腔室，取出制得的产品，即得。本发明提出的方法采用磁控溅射镀膜技术在衬底上向制备出缓冲层银膜，能够使得氧化亚铜薄膜结晶度提高，缺陷减少，显著提高氧化亚铜的晶粒度。另外，本发明的方法能够使大晶粒氧化亚铜薄膜的制备成本更低。
本发明授权一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种提高氧化亚铜薄膜晶粒度的方法，其特征在于，步骤为：在衬底上制备银膜作为缓冲层，然后在缓冲层上溅射氧化亚铜薄膜，即得； 在衬底上制备银膜缓冲层的方法为磁控溅射； 采用高纯银靶在衬底上溅射银膜； 银靶的厚度为3-6mm，直径40-55mm； 所述银膜的制备中，抽真空至背景真空≤3.5×10-4Pa，然后将衬底加热至480-550℃后在氩气气氛下溅射，溅射参数为：直流电源，靶功率为8-13W，溅射时间18-30min，溅射气压0.3-0.8Pa，氩气流量为35-45sccm； 在缓冲层上溅射氧化亚铜薄膜的方法为：采用高纯铜靶在氩气气氛下溅射，背景真空≤3.5×10-4Pa，溅射参数为：射频电源，靶功率为35-48W，溅射时间12-18min，溅射气压0.3-0.8Pa，氩气和氧气总流量35-45sccm，且O2含量为5-10％。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250061 山东省济南市历下区经十路17923号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号