中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010068505.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成漂移区和体区，漂移区和体区相邻，漂移区内具有第一离子，所述体区具有第二离子，所述第一离子和第二离子的导电类型相反；在衬底上形成栅极结构，栅极结构位于漂移区和体区表面，且栅极结构从漂移区表面延伸到体区表面；在漂移区表面形成屏蔽掺杂层，所述屏蔽掺杂层与所述栅极结构相邻；在漂移区内形成漏区，漏区与屏蔽掺杂层相邻，漏区与漂移区的第一离子导电类型相同。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底内形成漂移区和体区，所述漂移区和体区相邻，所述漂移区内具有第一离子，所述体区具有第二离子，所述第一离子和第二离子的导电类型相反； 在衬底上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述漂移区和体区表面，且所述栅极结构从漂移区表面延伸到所述体区表面； 在漂移区表面形成屏蔽掺杂层，所述屏蔽掺杂层内具有第三离子，所述第三离子用于消除漂移区表面的感应电荷，所述屏蔽掺杂层与所述栅极结构相邻，所述屏蔽掺杂层顶部平面低于或齐平于所述漂移区顶部平面； 在衬底上、屏蔽掺杂层表面和所述栅极结构的部分侧壁表面和顶部表面形成阻挡层； 在漂移区内形成漏区，所述漏区与所述屏蔽掺杂层相邻，所述漏区与所述漂移区的第一离子导电类型相同。
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