株式会社半导体能源研究所柳泽悠一获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113491006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080016065.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由柳泽悠一;方堂凉太;冈本悟设计研发完成，并于2020-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、设置于第一绝缘体与第一氧化物之间的第二绝缘体、与第一绝缘体接触且与第一氧化物的侧面接触的第二氧化物、第一绝缘体、第二氧化物及第一氧化物上的第三绝缘体，第三绝缘体包括与第一氧化物的顶面接触的区域，第二绝缘体及第三绝缘体包含与第二氧化物相比不容易透过氧的材料。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一绝缘体； 所述第一绝缘体上的第一氧化物半导体； 设置于所述第一绝缘体与所述第一氧化物半导体之间的第二绝缘体； 与所述第一绝缘体接触且所述第一氧化物半导体的侧面接触的第二氧化物半导体；以及 所述第一绝缘体、所述第二氧化物半导体及所述第一氧化物半导体上的第三绝缘体， 其中，所述第三绝缘体包括与所述第一氧化物半导体的顶面接触的区域， 并且，所述第二绝缘体及所述第三绝缘体包含与所述第二氧化物半导体相比不容易透过氧的材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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