英飞凌科技股份有限公司R.鲁普获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010381250.X，技术领域涉及：H01L21/268；该发明授权制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体是由R.鲁普;M.德拉吉西;T.F.W.赫希鲍尔;W.莱纳特;M.皮辛设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体在说明书摘要公布了：公开了制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体。晶片复合体900包括处置衬底100、形成在处置衬底100的第一主表面101上的辅助层200、以及形成在辅助层200之上的碳化硅结构320。使处置衬底100经受激光辐照，其中，激光辐照沿着处置衬底100中的焦平面105修改晶体材料。焦平面105与第一主表面101平行。辅助层200被适配为阻止激光辐照在处置衬底100中可能生成的微裂纹156的传播。
本发明授权制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体在权利要求书中公布了：1.一种制造碳化硅器件的方法，所述方法包括： 提供晶片复合体900，晶片复合体900包括处置衬底100、形成在处置衬底100的第一表面101上的辅助层200、和形成在辅助层200之上的碳化硅结构320；以及 使处置衬底100经受激光辐照，其中激光辐照沿着处置衬底100中的焦平面105修改晶体材料，其中焦平面105平行于第一主表面101， 其中，辅助层200被适配为阻止由激光辐照在处置衬底100中生成的微裂纹156的传播。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司，其通讯地址为：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号