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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十四研究所申请的专利一种开关的快速充放电电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111654270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010572486.1，技术领域涉及：H03K17/16；该发明授权一种开关的快速充放电电路是由周阳阳;竺磊;张浩设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种开关的快速充放电电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种开关的快速充放电电路，包括快速充放电模块、接收端开关和发射端开关，发射端开关连接发射端，接收端开关连接接收端，发射端开关和接收端开关共同输出至天线端，发射端开关的控制信号包括互为反向的信号cr_p与信号cr_n，接收端开关的控制信号包括信号cr_n和vg1，信号vg1与快速充放电模块相连。本发明的技术通过开关管控制端电压的反馈，实现在确保器件安全的条件下，对快速充放电通路进行高压控制，使得其随着控制电压上升，仍然能够保持原有的充电速度。

本发明授权一种开关的快速充放电电路在权利要求书中公布了：1.一种开关的快速充放电电路，其特征在于：包括快速充放电模块、接收端开关和发射端开关，发射端开关连接发射端，接收端开关连接接收端，发射端开关和接收端开关共同输出至天线端，发射端开关的控制信号包括互为反向的信号cr_p与信号cr_n，接收端开关的控制信号包括信号cr_n和vg1，信号vg1与快速充放电模块相连；快速充放电模块包括快速充电控制模块、第一堆叠MOS管和并联电阻； 第一堆叠MOS管包括若干个串联的MOS管，接收端开关的控制信号vg1分别进入第一堆叠MOS管的源端和快速充电控制模块，第一堆叠MOS管的漏端和源端之间设有并联电阻，快速充电控制模块的输出电压信号ctr进入第一堆叠MOS管的栅极，cr_p信号还输入到第一堆叠MOS管的漏端； 所述接收端开关包括第二堆叠MOS管和第三堆叠MOS管， 第二堆叠MOS管包括若干个串联的MOS管，第二堆叠MOS管的漏极与发射端开关相连，第三堆叠MOS管的漏极连接到第二堆叠MOS管的源极，第二堆叠MOS管中MOS管的栅极由电阻串联至信号vg1； 第三堆叠MOS管包括若干组互相并联的MOS管组，每组MOS管组中均包括两个串联的MOS管，每组MOS管组的漏极连接第二堆叠MOS管，源极接地，第三堆叠MOS管的栅极通过电阻串联至控制信号cr_n； 所述发射端开关包括第四堆叠MOS管和第五堆叠MOS管； 第四堆叠MOS管包括若干个互相串联的MOS管，第五堆叠MOS管的漏端连接到第四堆叠MOS管的源端，第四堆叠MOS管中的MOS管的栅极由电阻串联至控制信号cr_n； 第五堆叠MOS管包括若干组互相并联的MOS管组，每组MOS管组包括若干个串联的MOS管，第五堆叠MOS管中MOS管的栅极通过电阻串联至控制信号cr_p； 控制信号cr_p通过延时链路产生延时控制信号cr_d_p以及延时反向控制信号cr_d_n，信号cr_d_p和信号cr_d_n均与第五堆叠MOS管相连； 所述快速充电控制模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、反相器I1和电容C， 快速充电控制模块的电源电压VCC依次连接电阻R1、电阻R2、电阻R3之后接地，电阻R1和电阻R2之间输出电压信号ctr，电压信号ctr连接到第一堆叠MOS管，MOS管M1漏端接电压信号ctr，源端接控制信号cr_p，栅极接信号cr_d_n； 信号vg1通过电阻R4以及反相器I1连接至MOS管M3的栅极； MOS管M2和MOS管M3分别与电阻R3并联； MOS管M2的栅极接信号cr_d_p； 控制信号经过延时链路生成，延时链路包括7个级联的反相器，其中，在第一个和第二个反相器之间、第二个和第三个反相器之间、第五个和第六个反相器之间分别设有RC电容电阻RC延迟电路，延时链路的输入为控制信号cr_p，经过四个反相器之后产生延时控制信号cr_d_p，再经过三个反相器之后产生延时反向控制信号cr_d_n。

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