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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有供电电压调节电路的相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010668494.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权具有供电电压调节电路的相变存储器是由M·拉帕拉卡;F·E·C·迪塞格尼;F·戈勒尔设计研发完成，并于2020-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有供电电压调节电路的相变存储器在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有供电电压调节电路的相变存储器。公开了电压调节器和相变存储器。在一个实施例中，相变存储器包括：多个相变存储器单元的阵列；地址解码器，其被配置用于接收地址信号并选择多个存储器单元的阵列中的子区域，所选择的子区域具有给定数目的比特的数据信号和包括控制电路的写入电路，控制电路被配置用于接收数据信号并且针对所选择的子区域中的每个存储器单元，确定数据信号的相应比特是否指示存储器单元将从非晶态进入多晶态；以及一个或多个驱动电路，其经由经调节的电压供电，并且被配置用于向待从非晶态改变为多晶态的存储器单元施加置位电流达第一间隔。

本发明授权具有供电电压调节电路的相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，包括： 多个相变存储器单元的阵列，其中通过施加置位电流达第一间隔，存储器单元能够从具有低电导率的非晶态改变为具有高电导率的多晶态； 地址解码器，被配置用于接收地址信号，并且选择所述多个相变存储器单元的所述阵列中的子区域，所选择的所述子区域具有给定数目比特的数据信号；以及 写入电路，包括： 控制电路，所述控制电路被配置用于接收所述数据信号，并且针对所选择的所述子区域中的每个存储器单元，确定所述数据信号的相应比特是否指示所述存储器单元将从所述非晶态改变为所述多晶态； 一个或多个驱动电路，所述一个或多个驱动电路经由经调节的电压供电，并且被配置用于向将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元施加所述置位电流达所述第一间隔；以及 电压调节器，包括： 用于接收供电电压的正输入端子和负输入端子、以及用于向所述一个或多个驱动电路提供所述经调节的电压的正输出端子和负输出端子； 电容器，所述电容器被连接在所述正输出端子和所述负输出端子之间； 输出级，所述输出级包括多个分支，其中每个分支包括电压发生器，所述电压发生器被连接在所述正输入端子和所述正输出端子之间，其中每个电压发生器被配置用于根据驱动信号和所述经调节的电压而生成可变电流，并且其中每个电压发生器根据相应的使能信号被选择性地激活；以及 调节电路，所述调节电路被配置用于以如下方式生成用于所述电压发生器的驱动信号：将所述正输出端子和所述负输出端子之间的电压调节到所需值， 其中所述控制电路被配置用于： 确定将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目；以及 根据将从所述非晶态改变为所述多晶态的所述存储器单元的数目来生成所述使能信号。

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