买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安鼎芯微电子有限公司申请的专利功率MOS驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114157278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010937236.3，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权功率MOS驱动电路是由雷晗;夏云凯设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOS驱动电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率MOS驱动电路，包括：第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3以及设置于第二NMOS晶体管NM2和第三NMOS晶体管NM3之间的钳位电路3，其中第二NMOS晶体管NM2的源极和第三NMOS晶体管NM3的漏极相连，用于产生输出控制方波；以及钳位电路3用于限制输出控制方波的高电平。

本发明授权功率MOS驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS驱动电路，其特征在于，包括：第二NMOS晶体管（NM2）、第三NMOS晶体管（NM3）以及设置于所述第二NMOS晶体管（NM2）和所述第三NMOS晶体管（NM3）之间的钳位电路（3），其中 所述第二NMOS晶体管（NM2）的源极和第三NMOS晶体管（NM3）的漏极相连，用于产生输出控制方波；以及 所述钳位电路（3）用于限制所述输出控制方波的高电平；还包括：为所述功率MOS驱动电路提供电压的电源（VCC），并且供电电路（1）包括：限流电路（IDC）、第一齐纳二极管（ZD1）、第一电容（C1）、第一NPN晶体管（NPN1）以及第二NPN晶体管（NPN2），其中 所述限流电路（IDC）的正端与所述电源（VCC）连接，并且所述限流电路（IDC）的负端与所述第一齐纳二极管（ZD1）的阴极连接； 所述第一齐纳二极管（ZD1）的阴极与所述第一NPN晶体管（NPN1）的基极以及所述第二NPN晶体管（NPN2）的基极连接，并且所述第一齐纳二极管（ZD1）的阳极与地连接； 所述第一电容（C1）与所述第一齐纳二极管（ZD1）并联连接； 所述第一NPN晶体管（NPN1）的基极与所述第一齐纳二极管（ZD1）的阴极连接，所述第一NPN晶体管（NPN1）的集电极与所述电源（VCC）连接，并且所述第一NPN晶体管（NPN1）的发射极与电平转换电路（2）连接；以及 所述第二NPN晶体管（NPN2）的基极与所述第一齐纳二极管（ZD1）的阴极连接，所述第二NPN晶体管（NPN2）的集电极与所述电源（VCC）连接，以及所述第二NPN晶体管（NPN2）的发射极与所述电平转换电路（2）连接； 所述电平转换电路（2）包括：电平转换器（21），其中所述电平转换器（21）用于接收输入控制方波和所述第一NPN晶体管（NPN1）发射极的输入电压，将所述输入控制方波转换成和所述输入电压相匹配的高低电平，并且所述电平转换器（21）包括第一输入端（211）、第二输入端（212）、第一输出端（Q1）以及第二输出端（Q2），其中 所述电平转换器（21）的第一输入端（211）与所述第一NPN晶体管（NPN1）的发射极连接，用于接收所述输入电压，并且所述电平转换器（21）的第二输入端（212）用于接收所述输入控制方波；以及 所述电平转换器（21）的第一输出端（Q1）和所述第二输出端（Q2）用于输出转换后的电平信号； 所述电平转换电路（2）还包括：PMOS晶体管（PM）以及第一NMOS晶体管（NM1），其中 所述PMOS晶体管（PM）的漏极与第一NMOS晶体管（NM1）的漏极以及所述第二NMOS晶体管（NM2）的栅极连接，所述PMOS晶体管（PM）的源极与所述第二NPN晶体管（NPN2）的发射极连接，所述PMOS晶体管（PM）栅极与所述电平转换器（21）的第一输出端（Q1）以及第一NMOS晶体管（NM1）的栅极连接； 所述第一NMOS晶体管（NM1）的栅极与所述电平转换器（21）的第一输出端（Q1）连接，所述第一NMOS晶体管（NM1）的漏极与所述PMOS晶体管（PM）的漏极以及所述第二NMOS晶体管（NM2）的栅极连接，并且所述第一NMOS晶体管（NM1）的源极与地连接； 所述第二NMOS晶体管（NM2）的栅极与所述PMOS晶体管（PM）的漏极以及所述第一NMOS晶体管（NM1）的漏极连接，所述第二NMOS晶体管（NM2）的漏极与所述电源（VCC）连接，并且所述第二NMOS晶体管（NM2）的源极与第三NMOS晶体管（NM3）的漏极连接；以及 所述第三NMOS晶体管（NM3）的栅极与所述电平转换器（21）的第二输出端（Q2）连接，所述第三NMOS晶体管（NM3）的漏极与所述第二NMOS晶体管（NM2）的源极连接，并且所述第三NMOS晶体管（NM3）的源极与地连接； 所述钳位电路（3）包括：第二电容（C2）以及第二齐纳二极管（ZD2），其中 所述第二电容（C2）的第一端与所述第二NPN晶体管（NPN2）的发射极连接，以及所述第二电容（C2）的第二端与所述第二NMOS晶体管（NM2）的源极连接；以及 所述第二齐纳二极管（ZD2）的阴极与所述第二NPN晶体管（NPN2）的发射极连接，以及所述第二齐纳二极管（ZD2）的阳极与地连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安鼎芯微电子有限公司，其通讯地址为：710075 陕西省西安市高新区科技二路66号佳贝大厦五楼513室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。