三星电子株式会社李成玉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010976010.4，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件是由李成玉;朴尚度;西门浚;李奉炫设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件可以包括在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置的标准单元。所述第一方向和所述第二方向均可以平行于所述衬底的上表面。每个所述标准单元可以包括半导体元件。所述半导体器件还可以包括位于两个标准单元之间的填充单元，并且每个所述填充单元可以包括填充有源区和连接到所述填充有源区且可以在所述第一方向上延伸的填充接触。所述半导体器件还可以包括电连接到至少一个所述半导体元件且可以在所述第二方向上延伸到至少一个所述填充单元中的下布线图案，并且所述填充接触可以包括低于所述下布线图案且连接到至少一个所述下布线图案的布线填充接触。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 标准单元，所述标准单元在衬底上在第一方向和第二方向上布置，其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底的上表面，并且所述第二方向与所述第一方向相交，其中，每个所述标准单元包括半导体元件以及电连接到至少一个所述半导体元件并在所述第二方向上延伸的下布线图案；以及 填充单元，所述填充单元位于所述衬底上，其中，每个所述填充单元位于所述标准单元中的在所述第二方向上彼此相邻的两个标准单元之间，并包括填充有源区以及连接到所述填充有源区并在所述第一方向上延伸的填充接触， 其中，所述填充单元包括第一填充单元，所述第一填充单元位于所述标准单元中的在所述第二方向上彼此相邻的第一标准单元和第二标准单元之间，并且 所述第一标准单元的所述下布线图案延伸到所述第一填充单元中并连接到所述第一填充单元的所述填充接触，并且所述第一填充单元的所述填充接触位于所述衬底与所述第一标准单元的所述下布线图案之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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