美商新思科技有限公司L·S·梅尔文获国家专利权
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龙图腾网获悉美商新思科技有限公司申请的专利基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114514473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080066477.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进是由L·S·梅尔文;Y·P·坎德尔;彦其良;U·K·科洛斯特曼设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进在说明书摘要公布了：某些方面涉及一种用于改进光刻配置的方法。在光刻配置中，源照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂。处理器确定基于缺陷的聚焦曝光窗口FEW。基于缺陷的FEW是在晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于缺陷的FEW基于在晶片上出现缺陷的预测概率分布而被确定。处理器还确定基于关键尺寸CD的FEW。基于CD的FEW是在晶片上具有可接受CD变化水平的情况下，针对光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域。基于CD的FEW基于晶片上的预测CD而被确定。光刻配置基于增加基于缺陷的FEW和基于CD的FEW之间的重叠区域而被修改。
本发明授权基于缺陷概率分布和关键尺寸变化的光刻改进在权利要求书中公布了：1.一种用于改进光刻配置的方法，所述光刻配置包括照射掩模以曝光晶片上的抗蚀剂的源，所述方法包括： 由处理器基于所述晶片上出现缺陷的预测概率分布，来确定基于缺陷的聚焦曝光窗口，其中所述基于缺陷的聚焦曝光窗口是在所述晶片上具有可接受缺陷水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域， 由处理器基于所述晶片上的预测关键尺寸，来确定基于关键尺寸的聚焦曝光窗口；其中所述基于关键尺寸的聚焦曝光窗口是在所述晶片上具有可接受关键尺寸变化水平的情况下，针对所述光刻配置的焦深和曝光宽容度的区域；以及 基于增加所述基于缺陷的聚焦曝光窗口和所述基于关键尺寸的聚焦曝光窗口之间的重叠区域，来修改所述光刻配置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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