中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011332682.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，第一器件的沟道长度大于第二器件的沟道长度；在基底上形成多晶硅栅极层，第一器件区的多晶硅栅极层包括底部多晶硅栅极层和凸出于底部多晶硅栅极层的多个顶部多晶硅栅极层；在多晶硅栅极层侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层还覆盖底部多晶硅栅极层，并露出第二器件区的多晶硅栅极层顶部；去除第二器件区的多晶硅栅极层形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极层。本发明在第一器件区形成指状的多晶硅栅极层，从而在形成金属栅极层的过程中，有利于改善第一器件区的多晶硅栅极层的顶面凹陷问题。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度； 隔离结构，位于所述基底中； 第一栅极层，位于所述第二器件区的基底上，所述第一栅极层为金属栅极材料； 指状的第二栅极层，位于所述第一器件区的基底上且位于所述隔离结构之间，所述第二栅极层包括底部多晶硅栅极层以及凸出于所述底部多晶硅栅极层的多个顶部栅极层； 层间介质层，位于所述第一栅极层和第二栅极层侧部的基底上，所述层间介质层覆盖所述第一栅极层和第二栅极层的侧壁，并覆盖所述顶部栅极层露出的底部多晶硅栅极层顶部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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