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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利复合衬底、光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116457953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107314.5，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权复合衬底、光电器件及其制备方法是由张丽旸;程凯设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合衬底、光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种复合衬底10、光电器件及其制备方法。该复合衬底10包括基板11和位于基板11上的纳米金刚石结构12；纳米金刚石结构12包括多个间隔设置的纳米金刚石凸起121，相邻的两个纳米金刚石凸起121之间设有间隙122。该光电器件包括该复合衬底10，还包括层叠设置于复合衬底上的第一半导体层30、有源层40、第二半导体层50；第一半导体层30包括沿竖直方向依次层叠凸起部31和平坦部32，凸起部31于间隙122中，且与间隙122一一对应，平坦部32位于凸起部31以及纳米金刚石结构12上。该光电器件的其制备方法用于制作该光电器件。本申请通过在复合衬底10中设置一层纳米金刚石结构12，可以有效避免吸收有源层40发出的UV光线，达到大幅度提升UVLED的光提取效率的有益效果。

本发明授权复合衬底、光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括： 复合衬底，包括基板和位于所述基板上的纳米金刚石结构； 其中，所述纳米金刚石结构包括多个沿水平方向间隔设置的纳米金刚石凸起，相邻的两个所述纳米金刚石凸起之间设有间隙； 其中，所述纳米金刚石结构的材料为硼掺杂的金刚石材料； 其中，所述纳米金刚石结构用于避免吸收所述光电器件中的有源层发出的UV光线； 层叠设置于所述复合衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一半导体层与所述纳米金刚石结构的导电类型相同；所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料为氮化镓基材料、或者氮化硼、或者氧化铟锡； 所述第一半导体层包括沿竖直方向依次层叠凸起部和平坦部，所述凸起部于所述间隙中，且所述凸起部与所述间隙一一对应，所述平坦部位于所述凸起部以及所述纳米金刚石结构上，且所述平坦部远离所述纳米金刚石结构的一面为一平面。

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