英飞凌科技股份有限公司M·耶利内克获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利离子束注入方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011500142.6，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权离子束注入方法和半导体器件是由M·耶利内克;M·黑尔;C·利恩德茨;K·L·姆莱奇尼希;H-J·舒尔策设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子束注入方法和半导体器件在说明书摘要公布了：离子束注入方法和半导体器件。在示例中，衬底被定向到目标轴，其中目标轴与衬底中的预选晶体沟道方向之间的残余角失准在角容差区间内。使用沿离子束轴传播的离子束将掺杂剂离子注入到衬底中。掺杂剂离子以离子束轴和目标轴之间的注入角度注入。注入角度在注入角度范围内。沟道接受宽度对于预选晶体沟道方向是有效的。注入角度范围大于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的80%。注入角度范围小于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的500%。
本发明授权离子束注入方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种离子束注入方法，包括： 将衬底定向到目标轴，其中目标轴与衬底中的预选晶体沟道方向之间的残余角失准在角容差区间内；以及 使用沿离子束轴传播的离子束通过衬底的第一衬底主表面将掺杂剂离子注入到衬底中，其中： 掺杂剂离子以离子束轴和目标轴之间的注入角度注入； 针对注入掺杂剂离子的注入角度，离子束撞击在第一衬底主表面的相同的子区中； 注入角度在注入角度范围内； 沟道接受宽度对于预选晶体沟道方向是有效的； 注入角度范围大于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的80％；以及 注入角度范围小于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的500％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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