联华电子股份有限公司陈致中获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利形成半导体元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011558413.3，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权形成半导体元件的方法是由陈致中;林伯璋;魏偟任;周伟伦设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体元件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种形成半导体元件的方法，包含提供一基底，具有第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中第一区域包含第一主动区域和在第一主动区域上的第一栅极；在第一区域周围的第二区域内的基板上设置虚设图案；在基板上设置光致抗蚀剂图案，遮盖第二区域并包含暴露第一区域的开口；进行离子注入制作工艺，经由开口将掺质注入到第一区域内未被第一栅极覆盖的第一主动区域中，从而在第一主动区域中形成掺杂区；进行光致抗蚀剂剥离制作工艺，在温度高于或等于摄氏度下，通过使用SPM溶液去除光致抗蚀剂图案；以及对基板进行清洁处理。
本发明授权形成半导体元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体元件的方法，包含： 提供基板，具有第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，其中所述第一区域包含至少一个第一主动区域和在所述第一主动区域上的第一栅极，所述第二区域包含至少一个第二主动区域和在所述至少一个第二主动区域上的第二栅极； 在所述第一区域周围的所述第二区域内的基板上设置虚设图案，所述虚设图案设置在所述至少一个第一主动区域和所述至少一个第二主动区域之间； 在所述基板上设置光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案遮盖所述第二区域并包含暴露所述第一区域的开口； 进行离子注入制作工艺，经由所述开口将掺质注入到所述第一区域内未被所述第一栅极覆盖的所述第一主动区域中，从而在所述第一主动区域中形成掺杂区； 进行光致抗蚀剂剥离制作工艺，在温度高于或等于摄氏120190度下，通过使用硫酸和双氧水混合溶液以去除所述光致抗蚀剂图案；以及 对所述基板进行清洁处理。
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