中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110013465.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：在所述鳍部内形成沿所述鳍部延伸方向贯穿所述鳍部的第一开口，所述第一开口底部暴露出所述第一区；在所述第一开口底部暴露出的所述第一区内形成第二开口，所述第二开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸大于所述第一开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸；在所述第一开口内和所述第二开口内形成第一隔离结构。所述第一隔离结构部分位于所述第一开口内，不改变器件单元尺寸，不会导致器件密度的降低；另一方面，所述第一隔离结构在位于所述第二开口内的部分尺寸较大，可以有效地隔离位于第一区内的不同器件的深阱内的掺杂离子向对方扩散，提高器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于所述基底表面的第一区、以及位于所述第一区上的第二区，所述第一区还包括第一阱区，以及与所述第一阱区相邻的第二阱区，所述第二阱区与所述第一阱区的导电类型不同，所述第二区包括多个平行于所述衬底分布的沟道层，所述沟道层之间具有栅沟槽； 位于所述鳍部内，且沿所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部的第一开口，所述第一开口底部暴露出所述第一区，所述第一开口侧壁暴露出所述沟道层侧壁，且位于所述第一阱区和所述第二阱区之间； 位于所述第一区内的第二开口，所述第二开口与所述第一开口连通，所述第二开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸大于所述第一开口在沿垂直于所述鳍部延伸方向上的尺寸； 位于所述第一开口内和所述第二开口内的第一隔离结构，所述沟道层位于所述第一隔离结构侧壁，且垂直于所述第一隔离结构分布； 位于所述栅沟槽内的栅极，所述栅极包围所述沟道层。
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