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龙图腾网获悉艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请的专利用于选择半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013192.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权用于选择半导体器件的方法是由亚历山大·F·普福伊费尔设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于选择半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提出一种用于选择半导体器件20的方法。在步骤A中提供供体衬底1，所述供体衬底具有牺牲层12、设置在其上的连接层13和多个设置在牺牲层12上的半导体器件20。连接层13将牺牲层12至少局部地完全穿透，使得每个半导体器件20至少局部地与连接层13直接接触。在另一步骤B中，实施用于识别有故障的半导体器件20A的选择方法。另一步骤C包括将覆盖层30选择性地施加到有故障的半导体器件20A和至少一个与其直接相邻的半导体器件20和在其之间露出的中间区域30A上。在另一步骤D中，将牺牲层12选择性地蚀刻，其中覆盖层30减少或避免牺牲层12在中间区域30A中的蚀刻。在步骤E中，将半导体器件20从供体衬底1取下，其中有故障的半导体器件20A和至少直接相邻地设置的半导体器件20留在供体衬底1上。

本发明授权用于选择半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于选择半导体器件20的方法，所述方法包括以下步骤： A提供供体衬底1，所述供体衬底具有牺牲层12、设置在所述牺牲层12上的连接层13和多个半导体器件20，所述半导体器件设置在所述牺牲层12上，其中 -所述连接层13至少局部地完全穿透所述牺牲层12，使得每个半导体器件20至少局部地与所述连接层13直接接触； B实施用于识别有故障的半导体器件20A的选择方法； C将覆盖层30选择性地施加到有故障的半导体器件20A和至少一个与所述有故障的半导体器件20A直接相邻地设置的半导体器件20和在这些半导体器件之间露出的中间区域30A上； D将所述牺牲层12选择性地蚀刻，其中所述覆盖层30减少或避免所述牺牲层12在所述中间区域30A中的蚀刻，以及 E将半导体器件20从所述供体衬底1取下，其中所述有故障的半导体器件20A留在所述供体衬底1上， 其中所述连接层13包括芯层130和中间层131，其中所述中间层131设置在所述芯层130和所述半导体器件20之间，使得避免所述半导体器件20与所述芯层130的直接接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司，其通讯地址为：德国雷根斯堡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。