意法半导体公司J·S·塔利多获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体公司申请的专利被嵌入在衬底中具有应力缓冲的裸片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113571478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110469300.4,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权被嵌入在衬底中具有应力缓冲的裸片是由J·S·塔利多设计研发完成,并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本被嵌入在衬底中具有应力缓冲的裸片在说明书摘要公布了:本公开涉及一种封装,诸如晶片级芯片规模封装WLCSP或包含半导体裸片的封装,其中裸片被嵌入在由弹性体围绕的衬底内。封装包括在衬底和弹性体的表面上的非导电层以及导电层和延伸穿过这些层以在封装中形成电连接的导电过孔。封装包括导电材料的表面,该导电材料可以被称为接触件。导电材料的这些表面在封装的两侧上暴露并且允许封装被安装在电子器件内,并且使其他电子部件被耦合到封装、或允许封装被包括在半导体裸片或封装的堆叠配置中。
本发明授权被嵌入在衬底中具有应力缓冲的裸片在权利要求书中公布了:1.一种装置,包括: 衬底,具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对; 开口,从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述衬底; 裸片,在所述开口中并且在所述衬底的所述第一表面与所述第二表面之间;以及 弹性体,在所述开口中并且围绕所述裸片,其中所述弹性体包括基本上与所述第一表面共面的第三表面和基本上与所述第二表面共面的第四表面。
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