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龙图腾网获悉成都锐成芯微科技股份有限公司申请的专利防倒灌GPI电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275954B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110469419.1，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权防倒灌GPI电路是由宋登明设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本防倒灌GPI电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防倒灌GPI电路，包括ESD保护模块、上下拉电阻模块、触发器模块和缓冲输出模块；ESD保护模块连接于PAD端、作为电路的ESD泄放路径；上下拉电阻模块连接于PAD端，用于在PAD端浮空时将PAD端上拉至IO电源电压或下拉至地电平；触发器模块连接于缓冲输出模块；触发器模块通过钳位模块连接于PAD端，用以通过PAD端接收外部信号；ESD保护模块包括连接于PAD端的第一LD_NMOS管、第一电阻，连接于IO电源电压端的第一二极管和连接于第一电阻的第二LD_NMOS管；上下拉电阻模块包括上拉电阻和下拉电阻，上拉电阻一端通过第一LD_PMOS管连接于PAD端、另一端通过第一PMOS管连接于IO电源电压，下拉电阻一端连接于PAD端、另一端通过第三LD_NMOS管接地。

本发明授权防倒灌GPI电路在权利要求书中公布了：1.一种防倒灌GPI电路，包括ESD保护模块、上下拉电阻模块、触发器模块和缓冲输出模块；所述ESD保护模块连接于PAD端、作为电路的ESD泄放路径；所述上下拉电阻模块经所述ESD保护模块连接于所述PAD端，用于在所述PAD端浮空时将PAD端上拉至IO电源电压或下拉至地电平；所述触发器模块连接于所述缓冲输出模块，所述缓冲输出模块用于输出信号至后续电路；其特征在于： 所述触发器模块通过钳位模块连接于所述PAD端，用以通过所述PAD端接收外部信号； 所述ESD保护模块包括： 第一LD_NMOS管，其漏极连接于所述PAD端，源极、栅极和衬底接地； 第一电阻； 第一二极管，其正极接地、负极连接于所述IO电源电压 第二LD_NMOS管，漏极通过所述第一电阻连接于所述PAD端，源极、栅极和衬底接地； 所述上下拉电阻模块包括： 上拉电阻，其一端通过第一LD_PMOS管连接于所述PAD端、另一端通过第一PMOS管连接于IO电源电压，所述第一LD_PMOS管的栅极、源极和衬底连接于所述PAD端，其漏极连接于所述上拉电阻，所述第一PMOS管的源极和衬底连接于所述IO电源电压，漏极连接于所述上拉电阻，栅极连接有第二偏置电压； 下拉电阻，其一端连接于所述PAD端、另一端通过第三LD_NMOS管接地；所述第三LD_NMOS管的漏极连接于所述下拉电阻，源极和衬底接地，栅极连接有第三偏置电压。

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