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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110480799.9，技术领域涉及：H10B51/00；该发明授权竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法是由李宜芳;J·古哈;L·P·海内克;K·M·考尔道;李时雨;T·B·麦克丹尼尔;S·E·西里斯;K·J·特雷克;S-W·杨设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法。竖直晶体管阵列包括个别竖直晶体管的间隔开的柱，其个别地包括上部源极漏极区、下部源极漏极区和竖直地位于它们之间的沟道区。上部源极漏极区包括柱中的个别柱中的导体氧化物材料。沟道区包括个别柱中的氧化物半导体材料。下部源极漏极区包括个别柱中的位于个别柱中的第二导电氧化物材料顶上且直接抵靠第二导电氧化物材料的第一导电氧化物材料。水平延长且间隔开的导体线在列方向上个别地互连相应多个竖直晶体管。导体线个别地包括位于金属材料顶上且直接抵靠金属材料的第二导电氧化物材料。第一导电氧化物材料、第二导电氧化物材料和金属材料相对彼此包括不同组分。

本发明授权竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种竖直晶体管阵列，其包括： 个别竖直晶体管的间隔开的柱；所述间隔开的柱个别地包括上部源极漏极区、下部源极漏极区以及竖直地位于所述上部源极漏极区与所述下部源极漏极区之间的沟道区；所述上部源极漏极区包括所述柱中的个别柱中的导体氧化物材料，所述沟道区包括所述个别柱中的氧化物半导体材料，所述下部源极漏极区包括所述个别柱中的位于所述个别柱中的第二导电氧化物材料顶上且直接抵靠所述第二导电氧化物材料的第一导电氧化物材料； 水平延长且间隔开的导体线，其在列方向上个别地互连所述竖直晶体管中的相应多个竖直晶体管，所述导体线个别地包括位于金属材料顶上且直接抵靠所述金属材料的所述第二导电氧化物材料；所述第一导电氧化物材料、所述第二导电氧化物材料以及所述金属材料相对彼此包括不同组分；所述导体线的所述第二导电氧化物材料位于所述相应多个竖直晶体管的所述个别柱的所述下部源极漏极区的所述第二导电氧化物材料下方且直接抵靠所述第二导电氧化物材料； 水平延长且间隔开的导电栅极线，其个别地以操作方式位于所述个别柱的所述沟道区的所述氧化物半导体材料旁边，且在行方向上个别地互连相应多个所述竖直晶体管；以及 导电结构，其在所述行方向上横向地位于所述间隔开的导体线中的紧邻的间隔开的导体线之间且与所述紧邻的间隔开的导体线间隔开，所述导电结构个别地包括高于所述导体线的所述金属材料的顶部表面的顶部表面。

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