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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110649679.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪涵;卜伟海设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：去除伪栅结构，形成栅极开口，暴露出叠层结构和隔离层；去除栅极开口底部的部分厚度的隔离层，暴露出凸起部的部分侧壁；沿垂直于第一沟道层延伸方向，去除隔离层暴露出的凸起部，形成位于第一沟道层与剩余凸起部之间的沟槽，且第一沟道层与剩余凸起部或衬底之间相间隔；或沿垂直于第一沟道层的延伸方向，对暴露出的凸起部的侧壁进行减薄，使第一沟道层与剩余凸起部围成沟槽；去除沟道叠层中的牺牲层，形成通槽；在栅极开口和通槽、以及沟槽内填充栅极结构，栅极结构包围第二沟道层，且栅极结构还包围第一沟道层或者包围凸起部露出的第一沟道层。本发明实施例降低器件的漏电流，提升半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括沿横向延伸的横向延伸区，所述横向延伸区包括第一区域和沿横向位于所述第一区域两侧的第二区域；所述基底包括：衬底；凸起部，所述凸起部凸出于所述第二区域的衬底，或者，所述凸起部凸出于所述横向延伸区的衬底，且所述第一区域的凸起部的顶面，低于所述第二区域的凸起部的顶面； 沟道结构层，位于所述第一区域的所述基底的上方，且所述沟道结构层的底面高于或齐平于所述第二区域的所述凸起部的顶面，所述沟道结构层包括自下而上依次间隔设置的第一沟道层以及一个或多个第二沟道层，所述第一沟道层和第二沟道层均为沿延伸方向连续的沟道，且所述第一沟道层与所述基底之间具有间隔； 隔离层，位于所述衬底上且围绕所述凸起部； 栅极结构，位于所述隔离层上且横跨所述沟道结构层，所述栅极结构填充于所述第一沟道层与所述基底之间、以及所述第一沟道层和所述第二沟道层之间，或者，所述栅极结构填充于所述第一沟道层与所述基底之间、所述第一沟道层和所述第二沟道层之间、以及相邻的第二沟道层之间；所述栅极结构包围所述第一沟道层和所述第二沟道层； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所第二区域的凸起部上，且所述源漏掺杂层与所述第一沟道层以及一个或多个第二沟道层沿所述延伸方向的端部均相接触。

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