格芯新加坡私人有限公司王蓝翔获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利多指栅极非易失性存储器基元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835771.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权多指栅极非易失性存储器基元是由王蓝翔;卓荣发;陈学深;蔡新树;孙永顺设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本多指栅极非易失性存储器基元在说明书摘要公布了：本公开涉及一种多指栅极非易失性存储器单元。提供了一种非易失性存储器器件。该器件包括具有第一指和第二指的浮置栅极以及位于浮置栅极指下方的有源区。第一掺杂区位于有源区中并在第一浮置栅极指的第一侧从第一浮置栅极指横向移位。第二掺杂区位于有源区中并在第一浮置栅极指的第二侧从第一浮置栅极指横向移位。第三掺杂区位于有源区中并从第二浮置栅极指和第二掺杂区横向移位。
本发明授权多指栅极非易失性存储器基元在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器器件，包括： 浮置栅极，其具有第一浮置栅极指和第二浮置栅极指； 有源区，其位于所述第一浮置栅极指和所述第二浮置栅极指下方，其中，位于所述第一浮置栅极指下方的所述有源区的部分具有比位于所述第二浮置栅极指下方的所述有源区的部分窄的宽度； 第一掺杂区，其位于所述有源区中并在所述第一浮置栅极指的第一侧从所述第一浮置栅极指横向移位； 第二掺杂区，其位于所述有源区中并在所述第一浮置栅极指的第二侧从所述第一浮置栅极指横向移位；以及 第三掺杂区，其位于所述有源区中并从所述第二浮置栅极指和所述第二掺杂区横向移位。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯新加坡私人有限公司，其通讯地址为：新加坡新加坡市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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