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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110922399.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置及其制造方法是由加藤浩朗;下村纱矢;马场祥太郎;稻田充郎;吉田裕史;河井康宏设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一～第三电极以及控制电极。所述第一电极设于所述半导体部的背面上，所述第二电极设于所述半导体部的表面侧。所述第三电极以及所述控制电极设于所述半导体部的沟槽的内部。所述控制电极包含第一控制部和第二控制部。所述半导体装置还具备第一～第三绝缘膜。所述第一绝缘膜设于所述控制电极与所述半导体部之间。所述第二绝缘膜覆盖所述第一控制部及所述第二控制部，所述第三绝缘膜设于所述第二电极与所述第二绝缘膜之间。所述第三绝缘膜包含在所述第一控制部与所述第二控制部之间延伸的部分，所述第三电极位于所述第一电极与所述第三绝缘膜的所述延伸的部分之间。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体部，包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层以及第一导电型的第三半导体层； 第一电极，设于所述半导体部的背面侧； 第二电极，设于所述半导体部的表面侧，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间； 控制电极，设于所述半导体部内，包含在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第二方向交叉的第一方向上排列的第一控制部及第二控制部；以及连接部，将所述第一控制部及所述第二控制部一体化； 第一绝缘膜，设于所述控制电极的所述第一控制部或所述第二控制部与所述第二半导体层之间； 第二绝缘膜，设于所述第一控制部与所述第二控制部之间，并覆盖所述第一控制部及所述第二控制部； 第三绝缘膜，包含：第一部分，位于所述第一控制部与所述第二电极之间；第二部分，位于所述第二控制部与所述第二电极之间；第三部分，位于所述第一部分与所述第二部分之间，在所述第一控制部与所述第二控制部之间延伸，所述第二绝缘膜设于所述控制电极与所述第三绝缘膜之间； 第三电极，设于所述半导体部内，在所述第二方向上延伸，具有位于所述第一电极与所述第三绝缘膜的所述第三部分之间的部分和位于所述第一电极与所述控制电极的所述连接部之间的部分； 第四绝缘膜，位于所述第一半导体层与所述第三电极之间，所述控制电极的所述第一控制部及所述第二控制部设于所述第二电极与所述第四绝缘膜之间； 第五绝缘膜，设于所述第三绝缘膜的所述第三部分与所述第三电极之间以及所述控制电极的所述连接部与所述第三电极之间；以及 第六绝缘膜，设于所述控制电极的所述连接部与所述第五绝缘膜之间，包含与所述第五绝缘膜的材料不同的材料。

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