长江存储科技有限责任公司魏禹农获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111075633.5，技术领域涉及：H01L21/321；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由魏禹农;方超设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括多个第一目标区域和至少一个第二目标区域，多个第一目标区域由至少一个第二目标区域划分，第一目标区域的上表面高于第二目标区域的上表面；在半导体结构上形成填充材料层；对填充材料层进行平坦化处理；在半导体结构上形成图案化的光刻胶层，并通过图案化的光刻胶层对第一目标区域进行刻蚀。上述方法中，对填充材料层进行平坦化处理，在利用填充材料将第二目标区域填充的基础上，使得第一目标区域的上表面与第二目标区域的上表面平齐，减少因第一目标区域与第二目标区域之间的高度差对后续工艺造成的不良影响，以提高半导体制造工艺的稳定性。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括多个第一目标区域和至少一个第二目标区域，多个所述第一目标区域由所述至少一个第二目标区域划分，所述第一目标区域的上表面高于所述第二目标区域的上表面； 在所述半导体结构上形成填充材料层； 对所述填充材料层进行平坦化处理； 在所述半导体结构上形成图案化的光刻胶层，并通过所述图案化的光刻胶层对所述第一目标区域进行刻蚀；其中，所述第二目标区域中包括光刻对准标记，所述光刻对准标记用于在形成所述图案化的光刻胶层的过程中提供对应的标记信号。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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